整理自 SemiEngineering（Anne Meixner，2026-08-11）：CPO 从实验室仪表走向量产 ATE 卡在标准化缺失——连接器/测试规格/数据格式各自为政，导致交期长、成本高、设备难复用；NPO 12–18 个月、CPO 18–24 个月量产的节奏，呼唤共同制造框架。英文原文 + 中文深度解读。

整理自 Silicon Co-Design（Chad）：从 2D 到 3.5D 的先进封装与异构集成分类、TSMC 2.5D CoWoS 拆解（TSV 制造、RDL 工艺、C4/C2 凸点），以及基板瓶颈。英文原文（免费部分）+ 中文深度解读；🔒 付费段（玻璃基板、面板 vs 晶圆、有机基板内嵌桥、混合键合工艺）未包含。

整理自 Third Bridge（桥知集团）TMT Perspectives：基于多位全球光通信专家访谈，拆解从可插拔光模块到 CPO 的演进节奏、NPO 过渡定位、NVIDIA 与 Broadcom 的生态卡位，以及 200G EML / 高功率 CW 激光器短缺下的中国替代窗口。英文原文 + 中文深度解读。

整理 William David (The Chokepoint) 的季度关注清单：用「物理约束层 vs 估值错位」框架，列出代工/内存/材料基建三大类共 10 个情形（TSMC、ASML、ONTO、SK 海力士、美光、Entegris、AXT、Coherent、ASM International、Linde），并逐一给出 bear case 与催化剂。英文原文 + 中文深度解读。

整理 William David (The Chokepoint) 的 AI 内存入门：用仓库/电梯类比讲清 HBM 与 DRAM 的关系、TSV 与薄化晶圆、电压 droop 与良率数学、三家寡头与认证壁垒，以及 SK 海力士/三星/美光的真实竞争格局。英文原文 + 中文深度解读。

整理 William David (The Chokepoint) 的 AI 硬件入门：拆解 AI 投资叙事里被忽视的硬件约束——台积电代工垄断、CoWoS 先进封装产能 fully allocated、HBM 切换需 18 个月重新设计、以及最底层的材料（钨/镓/磷化铟）约束。英文原文 + 中文深度解读。

整理 Asia Next (X-RAY

整理 TrendForce 关于 AI 服务器电源完整性的分析：板级 MLCC 与封装级硅电容如何分工互补，硅电容凭借极低 ESL 与近 die 去耦成为 AI 加速器的关键高端元件，以及村田/SEMCO/台耀等供应链格局与双轨未来。英文原文 + 中文深度解读。

整理 Austin Lyons (Chipstrat) 关于 AI 加速器先进封装的科普：reticle 上限如何催生 2.5D 封装、台积电 CoWoS 家族（S/R/L）与 Intel EMIB 的架构差异，并从成本、面板利用率、reticle 外扩展性、小片键合良率四维度对比 EMIB 与 CoWoS-L。英文原文 + 中文深度解读。

DigiKey 科普长文：史密斯圆图的由来、它如何把无穷的阻抗空间映射到一个单位圆内、以及为何它在 80 多年后仍是射频设计的核心工具。英文原文逐字 + 中文深度解读。